O coeficiente de expansão térmica do substrato cerâmico é próximo ao do chip de silício, que pode salvar a camada de transição folha Mo, economizar mão-de-obra, economizar material e reduzir custos;
◗ Reduzir a camada de soldagem, reduzir a resistência térmica, reduzir o orifício, melhorar o rendimento;
◗ Sob o mesmo fluxo de carga, a largura do fio de papel alumínio de 0,3 mm de espessura é de apenas 10% da placa de circuito impresso comum;
◗ Excelente condutividade térmica, para que a embalagem do chip seja muito compacta, para que a densidade de energia seja muito melhorada, melhore a confiabilidade do sistema e do dispositivo;
◗ O substrato cerâmico ultrafino (0,25mm) pode substituir o BeO, sem problema de toxicidade ambiental;
◗ Grande fluxo, corrente de 100A através de 1mm de largura 0,3 mm de espessura corpo de cobre, aumento de temperatura de cerca de 17°C; A corrente de 100A passa continuamente pelo corpo de cobre com 2mm de largura de 0,3 mm de espessura, e o aumento da temperatura é de apenas cerca de 5°C;
Baixa resistência térmica, resistência térmica de substrato cerâmico de 10×10mm resistência térmica de 0,63mm de espessura cerâmica resistência térmica de 0,31K/W, 0,38mm de espessura cerâmica substrato resistência térmica de 0,19K/W, resistência térmica de substrato de cerâmica de 0,25 mm de espessura de 0,14K/W.
◗ Alta tensão de isolamento, para garantir a segurança pessoal e a capacidade de proteção do equipamento.
◗ Novos métodos de embalagem e montagem podem ser realizados, para que o produto seja altamente integrado e o volume seja reduzido.